FDC655BN_NBNN007
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | FDC655BN_NBNN007 |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | SuperSOT™-6 |
Serie | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 6.3A, 10V |
Verlustleistung (max) | 800mW |
Verpackung / Gehäuse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 620 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 6.3A (Ta) |
Grundproduktnummer | FDC655 |
FDC655BN_NBNN007 Einzelheiten PDF [English] | FDC655BN_NBNN007 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
FDC6561 FAIRCHILD
N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, LO
FDC655B-NL Son
FAIRCHI sot163
FET 30V 95.0 MOHM SSOT6
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
ON SOT-23
FAIRCHILD SOT23-6
FAIRCHILD SOT-163
FDC655AN-NL FAIRCHI
FDC655AN_NL FSC
FAIRCHILD SOT-23-6
FDC6561AN-NL FAIRCHILD
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
FDC655BN-NL FAIRCHL
MI SOT23-6
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
FAIRCHILD SOT163
N-CHANNEL, MOSFET
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FDC655BN_NBNN007onsemi |
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Zielpreis (USD)
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